behlke HTS-LC系列多功能高壓開(kāi)關(guān)HTS 31-12-LC

behlke HTS-LC系列多功能高壓開(kāi)關(guān)HTS 31-12-LC

 

高壓開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，低耦合電容，MOSFET  

 

● 具有真正繼電器特性的多功能HV開(kāi)關(guān) 

● 可通過(guò)TTL信號(hào)控制導(dǎo)通時(shí)間 

● 由于低耦合電容，簡(jiǎn)化了EMC并減少了電容損耗

● LC2技術(shù)可提供最高的瞬態(tài)抗擾性

 

應(yīng)用說(shuō)明一： 產(chǎn)品組C3的開(kāi)關(guān)針對(duì)控制側(cè)和地面之間的耦合電容進(jìn)行了優(yōu)化。低耦合電容是在高重復(fù)頻率下高效運(yùn)行的關(guān)鍵?？紤]到低噪聲發(fā)射，良好的EMC性能，穩(wěn)定的操作和較高的開(kāi)關(guān)速度，還希望減小耦合電容。LC和LC2開(kāi)關(guān)都很好地滿(mǎn)足了這些要求。但是，如果大約是最高開(kāi)關(guān)頻率（> 300 kHz），則LC系列開(kāi)關(guān)是首選。LC系列的缺點(diǎn)是瞬變抗擾性有限，這使其對(duì)火花放電，短路，不穩(wěn)定的負(fù)載和不穩(wěn)定的輸入電壓相對(duì)敏感。與此相反，LC2系列的開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)為在惡劣的工作條件下具有中等開(kāi)關(guān)頻率（<300 kHz）。LC2開(kāi)關(guān)對(duì)不穩(wěn)定負(fù)載（例如，等離子負(fù)載）和不穩(wěn)定輸入電壓不敏感。它們可以在其熱性能范圍內(nèi)抵抗火花放電，短路和過(guò)電壓瞬變。

 

應(yīng)用說(shuō)明二：   BEHLKE固態(tài)開(kāi)關(guān)具有極高的上升和下降時(shí)間。如果您的應(yīng)用不需要全切換速度，我們建議您結(jié)合使用速度限制選件S-TT（將上升和下降時(shí)間降低約50％）和輸入低通濾波器選件LP結(jié)合使用。 限速選件有助于最大程度地減少快速高壓脈沖電路通常存在的高頻困難（例如，自激振蕩，自觸發(fā)，振鈴等），并總體上簡(jiǎn)化了EMC設(shè)計(jì)。

 

應(yīng)用 說(shuō)明三：   快速M(fèi)OSFET開(kāi)關(guān)對(duì)于不受鉗位的電感負(fù)載或過(guò)大的布線(xiàn)電感產(chǎn)生的反向電流相對(duì)敏感。  反向電流可能會(huì)以不確定的方式導(dǎo)通慢速本征（寄生）MOSFET二極管，并且可能導(dǎo)致災(zāi)難性的開(kāi)關(guān)故障，尤其是在關(guān)斷階段結(jié)合高關(guān)斷電流時(shí)。因此，當(dāng)將電感性負(fù)載或高電感性布線(xiàn)連接到開(kāi)關(guān)時(shí)，建議始終將MOSFET開(kāi)關(guān)與快速續(xù)流二極管網(wǎng)絡(luò)（快速串行截止二極管+并聯(lián)快速續(xù)流二極管）結(jié)合使用。

 

該保護(hù)二極管網(wǎng)絡(luò)可通過(guò)BEHLKE FDA系列的單個(gè)二極管從外部安裝。它也可以作為選件I-FWDN集成到交換模塊中。請(qǐng)仔細(xì)閱讀一般說(shuō)明。出口限制：

 

最大峰值電流等于或大于500安培的快速固態(tài)開(kāi)關(guān)受美國(guó)法律和德國(guó)法律（雙重使用法規(guī)）限制出口。未經(jīng)美國(guó)或德國(guó)出口當(dāng)局的有效出口許可證，不得將這些貨物出口到第三國(guó)?？赡苄枰罱K用戶(hù)聲明。有關(guān)詳細(xì)信息，請(qǐng)咨詢(xún)BEHLKE。

 

產(chǎn)品代碼：型號(hào)包含有關(guān)電壓，電流和開(kāi)啟行為的編碼信息。前一位數(shù)字代表電壓，單位為kV，短劃線(xiàn)前的最后一位數(shù)字表示接通行為（0 =固定導(dǎo)通時(shí)間，1 =可變導(dǎo)通時(shí)間）。破折號(hào)后的數(shù)字表示以安培x10為單位的電流。第二個(gè)破折號(hào)后的字母編碼特殊功能。 示例HTS 31-12-LC ：HTS =高壓晶體管開(kāi)關(guān)，3 = 3 kV，1 =可變導(dǎo)通時(shí)間，12 = 120安培，LC =低耦合電容。